П'єзорезистичні датчики тискув основному засновані на п'єзорезистичному ефекту. П'єзорезистичний ефект використовується для опису зміни стійкості матеріалу при механічному напрузі. Подібно до п'єзоелектричного ефекту, п'єзорезистивний ефект лише спричиняє зміну імпедансу, а не електричного заряду.
Piezoresistive effects have been found in most metallic and semiconducting materials.Among them, the piezoresistive effect in semiconductor materials is much larger than that in metals.Since silicon is the mainstay of today's integrated circuits, the application of piezoresistive elements made of silicon becomes very meaningful.The resistance change comes not only from the stress-related geometric deformation, but also from the Опір, пов’язаний зі стресом, самий матеріал, який робить його ступінь коефіцієнта в сотні разів більшим, ніж стільниць, зміна опору Носильного кремнію типу в основному обумовлена перерозподілом між долинами провідної смуги різної мобільності, спричиненою зміщенням його трьох пар провідних діапазонів, що в черзі змінює мобільність у різних напрямках. Силіконова долина Band.
П'єзорезистивні датчики тиску, як правило, з'єднані з пшеничним мостом через відведення. Зазвичай, зовнішнього тиску на чутливому ядрі немає, а міст знаходиться в збалансованому стані (називається нульовим положенням). Коли датчик буде під тиском, опір мікросхеми змінюється, і міст втратить баланс. Якщо до мосту додається постійний струм або напруга живлення, так що зміна опору датчика перетворюється на вихід тиску через міст Сигнал струму компенсується нелінійним циклом корекції, тобто стандартним вихідним сигналом 4-20 млн. При цьому вхідна напруга, що має лінійне відповідне співвідношення.
Для того, щоб зменшити вплив зміни температури на значення опору ядра та покращити точність вимірювання, датчик тиску проводить заходи компенсації температури для підтримки високого рівня технічних показників, таких як нульовий дрейф, чутливість, лінійність та стабільність.
Час посади: квітень-03-2022